电路板清洗技术

半水清洗技术

半水清洗主要采用和去离子水，光伏组件回收，再加上一定量的活性剂、添加剂所组成的清洗剂。该类清洗介于溶剂清洗和水清洗之间。这些清洗剂都属于，属于可燃性溶剂，回收太阳能光伏组件，闪点比较高，毒性比较低，使用上比较安全，但是须用水进行漂洗，然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂，既降低了可燃性，又可使漂洗更为容易。半水清洗工艺特点是：

1） 清洗能力比较强，能同时除去极性污染物和非极性污染物，洗净能力持久性较强；

2） 清洗和漂洗使用两种不同性质的介质，漂洗一般采用纯水；

3） 漂洗后要进行干燥。

该技术不足之处在于废液和废水处理是一个较为复杂和尚待解决的问题。

硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低。太阳能电池片的优劣需要通过测试分选，而对于不良的太阳能电池片，生产过程如何控制呢？下面是不良的太阳能电池片的控制流程：

1、领料时清点发料单上数量，档次（效率或功率）与实物是否相符；

2、拆箱前分选人员检查外箱是否受到撞击而造成破损和变形，如有变形或破损通知品管人员当场确认；

3、拆箱后分选人员确认每包标签上的数量与档次（效率或档次），与发料单是否相同；

4、拆包前分选人员检查每包的外观包装与电池片的情况，如有问题通知品管人员当场确认，如没有问题可继续拆包分选；

5、拆包后对每包电池片数量的清点，如有少片现象通知品管确认签字（开具异常单），威海组件回收，之后再到仓库补料；

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，太阳能光伏组件回收，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。