芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，组件回收公司，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，报废组件回收，以达到更好的表面品质。

电路板怎么清洗，电路板清洗方法　

1、清洗前先同时用干净软油漆刷（1英寸宽的刷较好用）和压力约0.1Mpa［即1kg/每平方厘米］干燥的压缩空气清除电路板上的积尘。

2、清洗可用洗电路板的清洗液（俗称洗板水），此液可到专门店去买。如没有洗板水，可按如下操作：（现在我们一般都不用洗板水了）先用自来水冲洗，注意水流要柔，不能过猛，边冲边用软刷子仔细轻刷，电路板的两面均如是。

3、然后用软刷子沾上中性肥皂来仔细轻轻地清洗电路板的每一个地方，特别是跳线插槽，插槽（CPU插槽，AGP槽，PCI槽，内存槽）的内侧和底部，IC插座的底部，南北桥芯片，BIOS芯片和其他每一个IC芯片的底下，大电容的底下等地方更应仔细清洗，操作时应注意不要直立安装的小电容等元件碰歪；如果发现洗出的肥皂沫很脏，则须用清水冲洗后，再用肥皂在刷洗一遍，直到所洗出的肥皂沫为白色的为止。

多晶硅电池片

多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，吉林组件回收，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的和混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加入适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。