分选时根据公司的检验标准对电池片的外观进行分选，把不良片（碎片、崩边、缺角、色点、印刷不良等）分类放置，品管在生产结束前对不良片进行再次判定确认，如在公司标准之内的继续投入生产，如在公司标准之外的有生产按原材不良和原材碎片退回仓库；

单焊检查，单焊在焊接前对分选好的片子互检，如互检过程中发现不良片，需经过品管判定确认，在公司标准之内的继续投入生产，在公司标准之外的当事人和品管员同时在电池片背面签上姓名和电池片转化率到分选更换。此类片记为生产分选不良；

在单焊过程中出现不良片，同样需品管判定确认，电池片尚未焊接同时是电池片本身质量原因（色点、印刷不良、穿孔等）品管员在电池片背后签上姓名，以原料不良到分选更换；电池片尚未焊接出现碎片、崩边、缺角的当事人和品管员同时在电池片背面签上姓名和电池片转化率到分选更换，光伏组件回收，此类片记为生产作业不良；

表面制绒

单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有，和等。大多使用廉价的浓度约为1%的稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和等作为络合剂，组件回收，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须***行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。

芯片的背部减薄制程

磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片，回收拆卸组件，外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，回收组件，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近，然后再使用镭射进行切割。