电路板清洗技术

溶剂清洗技术

溶剂清洗主要是利用了溶剂的溶解力除去污染物。采用溶剂清洗，由于其挥发快，溶解能力强，故对设备要求简单。根据选用的清洗剂，可分为可燃性清洗剂和不可燃性清洗剂，前者主要包括有机烃类和醇类（如有机烃类、醇类、二醇酯类等），后者主要包括氯代烃和氟代烃类（如HCFC 和HFC 类）等。

HCFC 类清洗剂及其清洗工艺特点

这是一种含氢的氟氯烃，其蒸发潜热小、挥发性好，在大气中容易分解，破坏臭氧层的作用比较小，属于一种过渡性产品，规定在2040 年以前淘汰，所以，我们不推荐使用该类清洗剂。

其存在的问题主要有两个：一是过渡性。因为对臭氧层还有破坏作用，组件回收价格，只允许使用到 2040 年；二是价格比较高，清洗能力较弱，增加了清洗成本。

对于蓝宝石基板来说，它在成为一片合格的衬底之前大约经历了从切割、粗磨、精磨、以及抛光几道工序。以2英寸蓝宝石为例：

1. 切割：切割是从蓝宝石晶棒通过线切割机切割成厚度在500um左右的。在这项制程中，金刚石线锯是主要的耗材，目前主要来自日本、韩国与台湾地区。

2. 粗抛：切割之后的蓝宝石表面非常粗糙，需要进行粗抛以修复较深的刮伤，改善整体的平坦度。这一步主要采用50~80um的B4C加Coolant进行研磨，研磨之后表面粗糙度Ra大约在1um左右。

3. 精抛：接下来是较精细的加工，因为直接关系到后成品的良率与品质。目前标准化的2英寸蓝宝石基板的厚度为430um，因此精抛的总去除量约在30um左右。考虑到移除率与后的表面粗糙度Ra，这一步主要以多晶钻石液配合树脂锡盘以Lapping的方式进行加工。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，回收光伏组件，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，回收阀组件，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，组件回收，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。