蓝宝石衬底晶片是LED产业链的环节，廊坊组件价格，以往这种产品的制造技术被国外公司垄断。目前，国产显示、通讯、照明等器材上使用的LED衬底晶片基本上依赖进口。国内只能出口蓝宝石晶体或到海外，加工成衬底材料后再返销国内。

受益于下游led芯片需求旺盛，继3月调价后，近期2英寸蓝宝石衬底从4美元涨至7美元，4英寸蓝宝石衬底从30美元涨至35美元。业内认为，蓝宝石应用逐步扩大有助价格延续涨势。拟在A股上市的玻璃盖板厂商蓝思科技新披露招股书显示，将投入18亿元用于蓝宝石扩产，由于产能远超过iPhone需求，市场推断公司将生产手机用蓝宝石盖板等，并供应给非苹果阵营手机。

业内认为，多晶组件的价格，led照明应用暴发叠加蓝宝石手机盖板渗透率提升，蓝宝石长晶及相关设备需求将大幅提升甚至出现供应缺口。国内公司中，天通股份拥有自主研发的大尺寸长晶炉设备，形成了从长晶、掏棒、切磨抛的完整产业链；大族激光即将向苹果提供首批激光切割机，未来有望占据手机蓝宝石切割70%-80%市场份额。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，光伏组件价格走势，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，定影组件价格，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。