刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，膜组件价格，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，安徽组件价格，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

太阳电池的分选对组件的性能及质量控制起着***重要的作用，它将不仅影响到组件的电性能输出，组件回收价格，而且极有可能引起曲线异常和热斑现象，导致组件的早期失效。本文从测试设备的软、硬件方面着手，详细分析了影响电池分选的主要原因，并且针对每个主要原因进行实验分析、验证，提出解决方案，终发现对电池片fV曲线拟合可以有效地解决电池片分选的问题，并终通过大量的数据分析验证方案的有效性，目前这一方法已得到广泛应用。

隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

2. “隐裂”对组件性能的影响

晶硅太阳能电池的结构如下图所示，电池片产生的电流主要靠表面相互垂直的主栅线和细栅线收集和导出。因此，当隐裂（多为平行于主栅线的隐裂）导致细栅线断裂时，电流将无法被有效输送至主栅线，从而导致电池片部分乃至整片失效，还可能造成碎片、热斑等，同时引起组件的功率衰减。

垂直于主栅线的隐裂几乎不对细栅线造成影响，因此造成电池片失效的面积几乎为零。

而正处于快速发展的薄膜太阳能电池，由于其材料、结构特性，不存在隐裂的问题。同时其表面通过一层透明导电薄膜收集和传输电流，即使电池片有小的瑕疵造成导电膜，也不会造成电池大面积失效。

有研究显示，组件中如果某个电池的失效面积在8%以内，则对组件的功率影响不大，并且组件中2/3的斜条纹隐裂对组件的功率没有影响。所以说，虽然隐裂是晶硅电池常见的问题，但也不必过度担心。