电路板怎么清洗_电路板清洗方法

随后用清水缓缓将电路板冲洗干净。注意：必须把肥皂水冲刷干净。

水洗完毕后，用压力约0.1Mpa［即1kg/每平方厘米］干燥的压缩空气吹去水滴，特别是跳线插槽，插槽（CPU插槽，AGP槽，金华组件多少钱，PCI槽，多晶硅组件多少钱，内存槽）的内侧和底部，IC插座的底部，南北桥芯片，BIOS芯片和其他每一个IC芯片的底下，大电容的底下等地方，更是应从它的不同方向进行吹扫，力求把缝隙里的所有水滴吹干净。如果不具备压缩空气，则可用钟表维修或相机维修的橡皮手泵，不过这玩意可累人了。

6、稍用二次蒸馏水或无水酒精再将电路板洗一次（让焊有元件的一面向上，斜放着电路板，用10~12号的干净油画笔叫沾上无水酒精由上往下地进行清洗）。用氯化碳则其效果更嘉，单晶硅组件多少钱，不过这东西有毒，使用时必须小心，除非很必要，否则切勿使用。一般都建议不要使用氯化碳。

至此，清洗结束，这样清洗，不但干净，省钱，环保而且健康。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。

隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

预防光伏组件隐裂的要点

在生产过程中以及后续的存放、运输、安装中避免电池片受到不当的外力介入，也注意储存环境温度变化范围。

在焊接过程中电池片要提前保温（手焊）烙铁温度要符合要求。

太阳电池组件要挑选电性能参数一致的单体太阳电池进行组合和封装，以***太阳电池的组合损失小。制作太阳电池组件要根据标称的工作电压确定单体太阳电池的串联数，根据标称的输出功率来确定太阳电池的并联数。用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流。后用框架和材料进行封装。用户根据系统设计，降级组件多少钱，可将太阳能电池组件组成各种大小不同的太阳能电池方阵，亦称太阳能电池阵列。单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，实验室成果也有20%以上的。

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