芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，扬州组件价格，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

电路板怎么清洗_电路板清洗方法

随后用清水缓缓将电路板冲洗干净。注意：必须把肥皂水冲刷干净。

水洗完毕后，用压力约0.1Mpa［即1kg/每平方厘米］干燥的压缩空气吹去水滴，特别是跳线插槽，插槽（CPU插槽，AGP槽，PCI槽，内存槽）的内侧和底部，太阳能组件价格，IC插座的底部，南北桥芯片，BIOS芯片和其他每一个IC芯片的底下，大电容的底下等地方，更是应从它的不同方向进行吹扫，力求把缝隙里的所有水滴吹干净。如果不具备压缩空气，则可用钟表维修或相机维修的橡皮手泵，不过这玩意可累人了。

6、稍用二次蒸馏水或无水酒精再将电路板洗一次（让焊有元件的一面向上，多晶组件价格，斜放着电路板，用10~12号的干净油画笔叫沾上无水酒精由上往下地进行清洗）。用氯化碳则其效果更嘉，滤膜组件价格，不过这东西有毒，使用时必须小心，除非很必要，否则切勿使用。一般都建议不要使用氯化碳。

至此，清洗结束，这样清洗，不但干净，省钱，环保而且健康。