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刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，拆卸组件回收，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，回收太阳能光伏组件，就可以让硅片更快速的进行反应，苏州组件回收，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低。太阳能电池片的优劣需要通过测试分选，而对于不良的太阳能电池片，生产过程如何控制呢？下面是不良的太阳能电池片的控制流程：

1、领料时清点发料单上数量，档次（效率或功率）与实物是否相符；

2、拆箱前分选人员检查外箱是否受到撞击而造成破损和变形，如有变形或破损通知品管人员当场确认；

3、拆箱后分选人员确认每包标签上的数量与档次（效率或档次），与发料单是否相同；

4、拆包前分选人员检查每包的外观包装与电池片的情况，如有问题通知品管人员当场确认，如没有问题可继续拆包分选；

5、拆包后对每包电池片数量的清点，如有少片现象通知品管确认签字（开具异常单），之后再到仓库补料；

隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

1. 什么是“隐裂”

隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。

在晶体硅组件生产的工艺流程中，组件回收价格，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械破坏的能力，更容易产生隐裂。